HGTR (track tinggi anti-abu-abu) kristal KTP yang dikembangkan dengan metode hidrotermal mengatasi fenomena umum elektrokromisme KTP fluks-tumbuh, sehingga memiliki banyak keuntungan seperti resistivitas listrik yang tinggi, kehilangan insersi rendah, tegangan setengah gelombang rendah, kerusakan laser tinggi ambang batas, dan pita transmisi lebar.

Sel Kock Pockels yang dibuat oleh kristal HGTR-KTP terutama digunakan dalam laser pulsa dengan lebar pulsa sempit dan frekuensi pengulangan tinggi. Memberikan keuntungan dari rasio kepunahan tinggi, tegangan setengah gelombang rendah, dan tidak ada efek dering piezoelektrik di bawah frekuensi pengulangan yang tinggi, sel Pockels KTP banyak digunakan dalam rentang laser, laser lidar, laser medis dan laser industri, dll.

WISOPTIC menyediakan konsultasi teknis, layanan desain, sampel uji khusus, dan produk standar pengiriman cepat sel KTP Pockels.

Hubungi kami untuk solusi terbaik untuk aplikasi sel KTP Pockels Anda.

Keuntungan WISOPTIC dari KTP Pockels Cell

• Lebar pita optik lebar (0,5-3μm)

• Kehilangan insersi rendah

• Tegangan setengah gelombang rendah

• Tegangan operasi rendah

• Rasio kepunahan tinggi

• Ambang batas kerusakan laser sangat tinggi

• Tidak ada efek dering piezoelektrik

• Pergantian yang tepat dalam laser tingkat tinggi berulang dengan driver tegangan super cepat

• Desain kompensasi panas untuk beroperasi dalam kisaran suhu besar

• Desain yang ringkas, sangat mudah dipasang dan disesuaikan

• Kristal KTP berkualitas dengan ketahanan lingkungan yang tinggi dan umur panjang

Data Teknis WISOPTIC dari Sel Pockels KTP

Ukuran salah satu dari pasangan KTP (mm)	Potong-X		Dipotong		Tahanan listrik (Ohm · cm)
	HWV @ 1064nm (V)	Rasio Kepunahan @ 633nm (dB)	HWV @ 1064nm (V)	Rasio Kepunahan @ 633nm (dB)
3 × 3 × 10	1200	> 20	1000	> 20	> 1011
4 × 4 × 10	1600	> 20	1300	> 20	> 1011
5 × 5 × 10	2000	> 20	1600	> 20	> 1011
6 × 6 × 10	2300	> 20	1900	> 20	> 1011
7 × 7 × 10	2700	> 20	2200	> 20	> 1011
8 × 8 × 10	3100	> 20	2500	> 20	> 1011
9 × 9 × 10	3500	> 20	2800	> 20	> 1011
Ambang Batas Kerusakan: > 600 MW / cm2 untuk pulsa 10 ns @ 1064 nm (pelapis AR)